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更新时间 2026 01-05
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陶瓷基板金属化脱落?如何提升钎焊界面结合强度

你是否遇到以下问题?

在陶瓷基板(如Al2O3, AlN)上焊接芯片或贴装元件后,金属化层(如厚膜银浆、薄膜Ti/Cu/Ni/Au)从陶瓷表面剥离?
这对于高导热要求的IGBT驱动模块(工控)或激光器封装(医疗)是致命缺陷,如何根治?


解决方案:从界面科学与工艺控制入手,打造牢不可破的金属-陶瓷结合

陶瓷基板金属化层的脱落,本质上是金属层与陶瓷基体之间界面结合力不足,无法承受后续焊接或使用过程中产生的热应力、机械应力。提升结合强度是一个涉及材料学、表面处理和工艺技术的系统工程。


1. 界面结合机理与失效原因

机械锚定效应:陶瓷表面适当的粗糙度能为金属层提供物理锁合。表面过于光滑则结合力弱。

化学键合与扩散:理想的结合是金属层与陶瓷表面发生化学反应或相互扩散,形成过渡层。例如,钼锰法(Mo-Mn)金属化中,Mn会与Al2O3发生反应。结合力弱往往源于陶瓷表面污染、活化不足,或金属化烧结/镀覆工艺不当,未能形成有效的化学结合。

热膨胀系数失配应力:陶瓷与金属的CTE不同,在温度变化时会产生界面应力。如果结合强度本身不足,应力便会导致分层。


2. 提升结合强度的全方位策略

陶瓷基板前处理至关重要

精密清洗:使用超声清洗、等离子清洗等手段,彻底去除陶瓷表面的有机污染物、灰尘和吸附气体。等离子体清洗还能活化表面,增加其表面能。

表面粗化控制:对于厚膜工艺,可通过喷砂或化学蚀刻获得可控的、均匀的表面粗糙度。对于薄膜工艺,则需要极光滑的表面。

优化金属化体系与工艺

厚膜工艺:选择与陶瓷匹配性好的贵金属浆料(如Ag-Pd, Au)。严格控制丝网印刷厚度、烧结温度曲线(峰值温度、保温时间、升降温速率),使玻璃相充分润湿陶瓷并排出有机物。

薄膜工艺(如DPCDBC:采用磁控溅射等PVD方法时,需优化溅射功率、气压、基底温度,以获得致密、附着力强的种子层。电镀增厚过程需保证镀层内应力可控。

引入过渡层:在陶瓷与功能金属层之间增加过渡层(如TiCrNi),这些金属能与陶瓷中的氧形成强化学键,并与上层金属形成良好合金化。

严格的过程与成品检验

附着力测试:采用胶带剥离测试、焊球拉动/剪切测试(用于焊盘)或划痕测试法,定量或定性评估金属化层结合力。

显微结构分析:通过SEM/EDS观察界面形貌与元素分布,确认是否有连续的、无缺陷的过渡层。


3. 高功率与高频应用的特殊性
工控领域的新能源汽车IGBT模块和医疗领域的固态激光器,都要求陶瓷基板具备极高的导热性、绝缘性及长期可靠性。金属化脱落直接导致热阻飙升和信号中断。这类产品往往采用氮化铝或氮化硅基板,其金属化工艺比氧化铝更为敏感和复杂,对前处理和工艺洁净度要求达到半导体级别。


4. 专业领域制造能力的门槛
陶瓷基板金属化是电子封装领域的专业分支,需要专门的技术积累和设备投入。深圳捷创电子在服务高端工控与医疗客户的过程中,整合了专业的陶瓷基板加工与封装能力。其产线配备了等离子清洗机、高精度丝印机、高温烧结炉和真空镀膜设备,并建立了针对不同陶瓷材料和金属化体系(厚膜、薄膜)的完整工艺规范与质量控制标准。通过科学的界面工程控制和严格的可靠性验证,确保了金属化层在极端温度循环和功率冲击下的稳定性,为客户的高性能模块提供了从基板到封装的可靠解决方案。

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